BSC014N04LSATMA1 vs BSC0502NSIATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار BSC014N04LSATMA1 توسط Infineon و BSC0502NSIATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | BSC014N04LSATMA1 | BSC0502NSIATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 5 | — |
| نوع ترانزیستور | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 32 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | — |
| RDS(on) max at VGS=10 V | 1.4 mOhm | — |
| Power Dissipation at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at Tc | 96 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | 20 V | — |
| محدوده دمای کاری | -55C to +175C | -55C to +150C |
| بسته‌بندی | SuperSO8 (TDSON-8 FL) 5x6 mm | PG-TDSON-8 (SuperSO8 5x6) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | Trench (OptiMOS 5, thin-wafer) | OptiMOS 5 (Trench MOSFET) |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| سطح MSL | 1 (unlimited) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 100 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | — | 26 A |
| RDS(on) Max at VGS=10V | — | 2.3 mOhm |
| Gate Charge QG (0V to 4.5V) Typ | — | 9.0 nC |
| Output Charge QOSS Typ | — | 13.5 nC |
| Power Dissipation at TA (Ta=25C) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at TC (Tc=25C) | — | 43 W |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) Typ | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |