BSC014N06NSATMA1 vs BSC059N04LS6ATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار BSC014N06NSATMA1 توسط Infineon و BSC059N04LS6ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | BSC014N06NSATMA1 | BSC059N04LS6ATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 5 | — |
| نوع ترانزیستور | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 40 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | +/- 20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 30 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V | 1.4 mOhm | — |
| On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V | 1.45 mOhm | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 156 W | — |
| محدوده دمای کاری | -55C to +150C | -55C to +150C |
| بسته‌بندی | PG-TDSON-8-17 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| سطح MSL | 1 | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| Technology | OptiMOS 5 (shielded-gate trench) | OptiMOS 6 (N-channel MOSFET) |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 17 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 49 A |
| Pulsed Drain Current (ID,pulse) at TC=25C | — | 59 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 5.9 mOhm at VGS=10 V |
| Total Power Dissipation at TA=25C | — | 3 W |
| Total Power Dissipation at TC=25C | — | 38 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | +/-20 V |
| Diode Continuous Forward Current (IS) | — | 38 A at TC=25C |
| Diode Pulse Current (IS,pulse) | — | 236 A at TC=25C |
| Lead-Free | — | Yes |