BSC059N04LSGATMA1 vs BSC054N04NSGATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار BSC059N04LSGATMA1 توسط Infineon و BSC054N04NSGATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | BSC059N04LSGATMA1 | BSC054N04NSGATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Technology | OptiMOS 3 (N-channel trench MOSFET) | OptiMOS 3 (N-Channel Trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | 73 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) | 16 A | — |
| On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 5.9 mOhm | — |
| Power Dissipation (Tc=25C) | 50 W | — |
| Power Dissipation (Ta=25C) | 2.5 W | — |
| Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) | 1.2 V to 2.0 V (typ) | — |
| Total Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: Qg total, typical nC] | — |
| محدوده دمای کاری | -55 C to +150 C | -55C to +150C |
| بسته‌بندی | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| سطح MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| REACH Status | Compliant | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | BSC054N04NSGATMA1 |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 81 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | — | 17 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 5.4 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Power Dissipation at Tc=25C | — | 57 W |
| Power Dissipation at Ta=25C | — | 2.5 W |
| Gate Drive Voltage (recommended) | — | 10 V |
| Lead-Free Reflow | — | Yes |