BSC074N15NS5ATMA1 vs BSC019N04LSTATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSC074N15NS5ATMA1 توسط Infineon و BSC019N04LSTATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
BSC074N15NS5ATMA1 BSC074N15NS5ATMA1 - 150V 7.4mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC074N15NS5ATMA1 - 150V 7.4mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC074N15NS5ATMA1 ✓ فعال
Infineon
BSC019N04LSTATMA1 BSC019N04LSTATMA1 - 40V N-Ch OptiMOS 5 Power MOSFET | Infineon

BSC019N04LSTATMA1 - 40V N-Ch OptiMOS 5 Power MOSFET | Infineon

BSC019N04LSTATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر BSC074N15NS5ATMA1 BSC019N04LSTATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع ترانزیستور N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS™ 5 trench OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 114 A —
Power Dissition (PD) at TC=25°C 214 W —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 7.4 mΩ 1.9 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
بسته‌بندی SuperSO8 5x6 (PG-TSON-8-3) with wettable flanks TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
محدوده دمای کاری [DATA_NEEDED: TJ min/max] -55 C to +150 C
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] 1.7 V
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg total] —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
سطح MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (unlimited)
Body Diode Integrated —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 161 A
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) — 28 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed ID limit]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Total Gate Charge Qg typ — 85 nC
Power Dissipation PD (Tc=25C) — 94 W
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / Yes
Avalanche Rated — Yes

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت