BSC076N04NDATMA1 vs BSC019N04LSTATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار BSC076N04NDATMA1 توسط Infineon و BSC019N04LSTATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | BSC076N04NDATMA1 | BSC019N04LSTATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 3 | — |
| Configuration | Dual N-Channel (independent MOSFETs) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 20 A (Tc) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 4 V (max, typical) | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 7.6 mOhm | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.3 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 65 W | — |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS 3) | OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) |
| Qgd/Qgs Ratio | < 0.8 (high shot-through immunity) | — |
| دمای اتصال کاری | -55 C to +175 C | — |
| بسته‌بندی / کیس | PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm) | — |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS / Pb-Free | Compliant (Pb-free plating) | — |
| FET Type | 2x N-Channel MOSFET array | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 161 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) | — | 28 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed ID limit] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 1.9 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 1.7 V |
| Total Gate Charge Qg typ | — | 85 nC |
| Power Dissipation PD (Tc=25C) | — | 94 W |
| محدوده دمای کاری | — | -55 C to +150 C |
| بسته‌بندی | — | TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm |
| سطح MSL | — | 1 (unlimited) |
| وضعیت RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes / Yes |
| Avalanche Rated | — | Yes |