BSC076N04NDATMA1 vs BSC019N04LSTATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC076N04NDATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC019N04LSTATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | BSC076N04NDATMA1 | BSC019N04LSTATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 3 | — |
| Configuration | Dual N-Channel (independent MOSFETs) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 20 A (Tc) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 4 V (max, typical) | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 7.6 mOhm | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.3 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 65 W | — |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS 3) | OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) |
| Qgd/Qgs Ratio | < 0.8 (high shot-through immunity) | — |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -55 C to +175 C | — |
| پیکیج / کیس | PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm) | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS / Pb-Free | Compliant (Pb-free plating) | — |
| FET Type | 2x N-Channel MOSFET array | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 161 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) | — | 28 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed ID limit] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 1.9 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 1.7 V |
| Total Gate Charge Qg typ | — | 85 nC |
| Power Dissipation PD (Tc=25C) | — | 94 W |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -55 C to +150 C |
| پیکیج | — | TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm |
| MSL لیول | — | 1 (unlimited) |
| RoHS اسٹیٹس | — | Compliant |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes / Yes |
| Avalanche Rated | — | Yes |