BSC0901NSATMA1 vs BSC052N08NS5ATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSC0901NSATMA1 توسط Infineon و BSC052N08NS5ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
BSC052N08NS5ATMA1 BSC052N08NS5ATMA1 - 80V 95A 5.2mΩ OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSC052N08NS5ATMA1 - 80V 95A 5.2mΩ OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSC052N08NS5ATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر BSC0901NSATMA1 BSC052N08NS5ATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 30V —
Technology N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS) OptiMOS 5
Drain-to-Source Voltage (VDS) Max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 28 A —
On-State Resistance RDS(on) Max at VGS=10V 1.9 mOhm —
On-State Resistance RDS(on) Typ at VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) typical] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Gate Charge (Qg) Typ [DATA_NEEDED: Qg total] —
Avalanche Energy (EAS) 80 mJ —
Power Dissipation (PD) at Tc 69 W —
Power Dissipation (PD) at Ta 2.5 W —
محدوده دمای کاری -55C to +150C —
بسته‌بندی TDSON-8-5 (PG-TDSON-8-5) / SuperSO8 5x6 mm PG-TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
سطح حساسیت به رطوبت (MSL) 1 —
Built-in Body Diode Yes —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Configuration Single N-Channel with Built-in Diode —
Part Number — BSC052N08NS5ATMA1
نوع ترانزیستور — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 95 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 5.2 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 2.5-3.0 V
Total Power Dissipation (Tc) — 83 W
Total Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
دمای اتصال کاری — -55C to +150C
سطح MSL — 1 (unlimited)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت