BSC100N10NSFGATMA1 vs BSC042NE7NS3GATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار BSC100N10NSFGATMA1 توسط Infineon و BSC042NE7NS3GATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Infineon
BSC100N10NSFGATMA1 - 100V OptiMOS N-Channel MOSFET, 10mΩ | Infineon
BSC100N10NSFGATMA1 ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | BSC100N10NSFGATMA1 | BSC042NE7NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | OptiMOS 3 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 75 V |
| Continuous Drain Current (ID), Ta | 11.4 A | — |
| Continuous Drain Current (ID), Tc | 90 A | — |
| Power Dissipation (PD), Tc | 156 W | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max | 10 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] | — |
| بسته‌بندی | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| محدوده دمای کاری | -55C to +150C (junction) | -55C to +150C |
| Gate Drive Voltage (recommended) | 10 V (for rated RDS(on)) | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| Part Number | — | BSC042NE7NS3GATMA1 |
| نوع ترانزیستور | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 19 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| RDS(on) max at VGS=10V | — | 4.2 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | +/-20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | — | 1.7 V |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 125 W |
| سطح MSL | — | 1 |