BSD214SNH6327XTSA1 vs BSP135H6327XTSA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSD214SNH6327XTSA1 توسط Infineon و BSP135H6327XTSA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
BSD214SNH6327XTSA1 BSD214SNH6327XTSA1 - 20V N-Ch OptiMOS 1.5A | Infineon SOT-363

BSD214SNH6327XTSA1 - 20V N-Ch OptiMOS 1.5A | Infineon SOT-363

BSD214SNH6327XTSA1 ✓ فعال
Infineon
BSP135H6327XTSA1 BSP135H6327XTSA1 - 600V N-Ch Depletion-Mode MOSFET | Infineon

BSP135H6327XTSA1 - 600V N-Ch Depletion-Mode MOSFET | Infineon

BSP135H6327XTSA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر BSD214SNH6327XTSA1 BSP135H6327XTSA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
FET Type N-Channel N-Channel, Depletion Mode
Technology MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS SIPMOS (planar DMOS)
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 20 V —
Continuous Drain Current (Id) at 25C 1.5 A —
Power Dissipation (Pd) at Ta 500 mW —
Gate Drive Voltage (Rds On rated) 2.5 V, 4.5 V —
Rds On (Max) @ Vgs=4.5V [DATA_NEEDED: Rds On at Vgs=4.5V] —
Rds On (Max) @ Vgs=2.5V [DATA_NEEDED: Rds On at Vgs=2.5V] —
Vgs(th) (typical) [DATA_NEEDED: Vgs threshold typical] —
بسته‌بندی SOT-363 (PG-SOT363-PO), 6-pin PG-SOT223-4 (SOT-223-3 plus tab)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
محدوده دمای کاری -55C to +150C (junction) -55C to +150C (junction, typical)
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Lead Plating Pb-free —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
سطح MSL 1 1
Standard Pack Quantity 3000 (Tape & Reel) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSP135H6327XTSA1
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID) — 120 mA
Power Dissipation (PD) — 1.8 W
On-Resistance RDS(on) max — 45 ohm at VGS = 0 V
On-Resistance RDS(on) — 25 ohm (typical, per digchip)
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Operating Mode — Normally ON (depletion)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت