BSP135H6906XTSA1 vs BSO613SPVGXUMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSP135H6906XTSA1 توسط Infineon و BSO613SPVGXUMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
BSP135H6906XTSA1 BSP135H6906XTSA1 - 600V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon

BSP135H6906XTSA1 - 600V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon

BSP135H6906XTSA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر BSP135H6906XTSA1 BSO613SPVGXUMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
FET Type N-Channel Depletion Mode P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max 600 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 120 mA -3.44 A
RDS(on) Max at VGS=0V 45 Ohm —
Power Dissipation (PD) Max 1.8 W —
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(off)) Depletion mode (normally-on) —
محدوده دمای کاری -55C to +150C -55C to +150C (junction, per industry standard for Power-SO-8 MOSFETs)
بسته‌بندی PG-SOT223-4 (SOT-223, 3+tab) PG-DSO-8-6 (Power-SO-8)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
تعداد پایه 4 (3 leads + drain tab) 8 (6 active, 2 thermal/NC)
Technology SIPMOS (planar high-voltage) OptiMOS (Trench)
سطح MSL 1 (unlimited) MSL3 (per JEDEC J-STD-020, industry standard for Power-SO-8)
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Automotive Qualification AEC-Q101 (per datasheets.com parametric record) —
Lead-Free Yes Yes
Drain-Source Voltage (VDS) — -60 V
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 2.5 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values]
RDS(on) at VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V]
RDS(on) at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=4.5V]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM pulsed value]
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max +/-V]
Avalanche Rated — Yes (per Infineon OptiMOS family)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت