BSZ024N04LS6ATMA1 vs BSZ070N08LS5ATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSZ024N04LS6ATMA1 توسط Infineon و BSZ070N08LS5ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
BSZ024N04LS6ATMA1 BSZ024N04LS6ATMA1 - 40V 24A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

BSZ024N04LS6ATMA1 - 40V 24A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

BSZ024N04LS6ATMA1 ✓ فعال
Infineon
BSZ070N08LS5ATMA1 BSZ070N08LS5ATMA1 - 80V 7mΩ OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSZ070N08LS5ATMA1 - 80V 7mΩ OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSZ070N08LS5ATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر BSZ024N04LS6ATMA1 BSZ070N08LS5ATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع ترانزیستور N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS 6 (shielded-gate trench) —
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D, Ta) 24 A —
Continuous Drain Current (I_D, Tc) 40 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) 130 A —
R_DS(on) Max @ V_GS=10V 2.4 mΩ —
R_DS(on) Max @ V_GS=4.5V [DATA_NEEDED: R_DS(on) at 4.5V] —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) 2.3 V (typical) —
Total Gate Charge (Q_g) @ V_GS=10V 25 nC —
Input Capacitance (C_iss) 1.8 nF —
Output Capacitance (C_oss) 19 pF —
Power Dissipation (P_D, Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (P_D, Tc) 75 W —
دمای اتصال کاری -55°C to +175°C -55 °C to +150 °C
بسته‌بندی PG-TSDSON-8-FL (3.3 mm x 3.3 mm) PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm) Surface Mount
نوع نصب Surface Mount, top-side drain pad Surface Mount
وضعیت RoHS Compliant Compliant
سطح MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020, unleaded reflow)
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS™ 5 (80 V logic-level)
Polarity / Channel Type — N-Channel enhancement mode
Drain-Source Voltage (VDS) max — 80 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 74 A (Tc, per datasheet)
Continuous Drain Current (ID) at TA / Si — [DATA_NEEDED: TA-rated ID]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM pulsed]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V — 7 mΩ
On-Resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5 V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — Logic-level (drive compatible with 4.5 V)
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total Qg]
Power Dissition PD max at TC — 69 W
Avalanche Rated — Yes
Reel Quantity — 5000 per 13-inch reel (T&R)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت