BSZ024N04LS6ATMA1 vs BSZ070N08LS5ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSZ024N04LS6ATMA1 بذریعہ Infineon اور BSZ070N08LS5ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSZ024N04LS6ATMA1 BSZ024N04LS6ATMA1 - 40V 24A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

BSZ024N04LS6ATMA1 - 40V 24A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

BSZ024N04LS6ATMA1 ✓ فعال
Infineon
BSZ070N08LS5ATMA1 BSZ070N08LS5ATMA1 - 80V 7mΩ OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSZ070N08LS5ATMA1 - 80V 7mΩ OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSZ070N08LS5ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSZ024N04LS6ATMA1 BSZ070N08LS5ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS 6 (shielded-gate trench) —
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D, Ta) 24 A —
Continuous Drain Current (I_D, Tc) 40 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) 130 A —
R_DS(on) Max @ V_GS=10V 2.4 mΩ —
R_DS(on) Max @ V_GS=4.5V [DATA_NEEDED: R_DS(on) at 4.5V] —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) 2.3 V (typical) —
Total Gate Charge (Q_g) @ V_GS=10V 25 nC —
Input Capacitance (C_iss) 1.8 nF —
Output Capacitance (C_oss) 19 pF —
Power Dissipation (P_D, Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (P_D, Tc) 75 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55°C to +175°C -55 °C to +150 °C
پیکیج PG-TSDSON-8-FL (3.3 mm x 3.3 mm) PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm) Surface Mount
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount, top-side drain pad Surface Mount
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
MSL لیول 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020, unleaded reflow)
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS™ 5 (80 V logic-level)
Polarity / Channel Type — N-Channel enhancement mode
Drain-Source Voltage (VDS) max — 80 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 74 A (Tc, per datasheet)
Continuous Drain Current (ID) at TA / Si — [DATA_NEEDED: TA-rated ID]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM pulsed]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V — 7 mΩ
On-Resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5 V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — Logic-level (drive compatible with 4.5 V)
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total Qg]
Power Dissition PD max at TC — 69 W
Avalanche Rated — Yes
Reel Quantity — 5000 per 13-inch reel (T&R)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں