BSZ110N08NS5ATMA1 vs BSC093N15NS5ATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار BSZ110N08NS5ATMA1 توسط Infineon و BSC093N15NS5ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | BSZ110N08NS5ATMA1 | BSC093N15NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS 5 | — |
| Technology | OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET | OptiMOS 5 150V |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 40 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 11 mΩ | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 50 W | — |
| بسته‌بندی | PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3) | SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-7) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Polarity | N-Channel | — |
| Configuration | Single MOSFET | — |
| Gate Drive Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS rating] | — |
| محدوده دمای کاری | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| سطح MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 87 A |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=10V | — | 9.3 mΩ |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 139 W |
| Gate Drive Voltage (VGS) Recommended | — | 10 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] |
| بدون هالوژن | — | [DATA_NEEDED: halogen free status] |