H5AN8G4NAFR-PBC vs H5AN8G4NAFR-UHC مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار H5AN8G4NAFR-PBC توسط SK hynix و H5AN8G4NAFR-UHC توسط SK hynix. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | H5AN8G4NAFR-PBC | H5AN8G4NAFR-UHC |
|---|---|---|
| برند | SK hynix | SK hynix |
| دسته‌بندی | DRAM | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (CMOS) |
| Density | 8 Gb | 8 Gbit |
| سازمان | 2Gb x 4 | 2G x4 |
| Interface Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2 V +/- 0.06 V | — |
| Wordline Pump Voltage (VPP) | 2.5 V (+0.25/-0.125 V) | — |
| Speed Bins (per datasheet) | DDR4-1600 / 1866 / 2133 / 2400 (DLL ON) | — |
| Bank Groups | 4 (BG0-BG1) | — |
| Banks | 16 (4 bank groups x 4 banks) | — |
| Row Address | A0-A16 (17 bits) | — |
| بسته‌بندی | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CMOS | — |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes (RoHS Compliant per datasheet) | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) |
| محدوده دمای کاری | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| تأخیر CAS | [DATA_NEEDED: CL for PBC speed bin] | — |
| Geardown Mode Note | DDR4-1600/1866/2133/2400 bins valid only when Geardown Mode is disabled | — |
| Manufacturer | — | SK hynix (Hynix Semiconductor) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Speed Grade | — | UHC |
| رابط | — | Synchronous, dual rising/falling clock edges |
| Clock Input | — | Differential CK_t / CK_c |
| دمای کاری | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Family Variants | — | H5AN8G4NAFR-xxC / H5AN8G8NAFR-xxC / H5AN8G6NAFR-xxC |
| Datasheet Revision | — | Rev. 1.2 (Jul. 2017), 45 pages |
| سطح MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Packaging | — | [DATA_NEEDED: reel / tray quantity] |