H5AN8G6NAFR-UHC vs H5AN8G6NAFR-VKC مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار H5AN8G6NAFR-UHC توسط SK hynix و H5AN8G6NAFR-VKC توسط SK hynix. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | H5AN8G6NAFR-UHC | H5AN8G6NAFR-VKC |
|---|---|---|
| برند | SK hynix | SK hynix |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM (CMOS) | DDR4 SDRAM |
| Memory Density | 8 Gbit | — |
| سازمان | 512M x 16 | 512M x 16 |
| ولتاژ تغذیه | 1.2 V | — |
| نرخ داده | 2400 MT/s | — |
| Clock Architecture | Differential clock (CK_t / CK_c), fully synchronous | — |
| بسته‌بندی | 96-ball FBGA (TFBGA) | FBGA-96 (PBGA96) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| دمای کاری | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Refresh | Auto self-refresh | [DATA_NEEDED: refresh mode specification] |
| Precharge | Auto precharge function | — |
| Reset | Asynchronous reset function | — |
| Data Mask | DM function supported | — |
| Termination | Dynamic on-chip termination (ODT) | — |
| Calibration | ZQ calibration function | — |
| Error Checking | CRC function | — |
| Write Leveling | Write leveling function supported | — |
| وضعیت RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Lead-Free & Halogen-Free, RoHS Compliant |
| Density | — | 8 Gb |
| Core Supply Voltage | — | 1.2 V |
| Technology | — | CMOS |
| Speed Grade | — | -VKC (DDR4-2666 class, per SK Hynix part numbering) |
| Data Rate Class | — | Up to 2666 MT/s (per -VKC speed code) |
| Family | — | H5AN8G4NAFR / H5AN8G8NAFR / H5AN8G6NAFR |
| Application | — | Main memory (high density, high bandwidth) |
| تأخیر CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency for -VKC bin] |
| Package Dimensions | — | [DATA_NEEDED: package dimensions] |
| سطح MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |