H5TC4G63CFR-PBL vs MT41K256M16RE-125:D مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار H5TC4G63CFR-PBL توسط SK hynix و MT41K256M16RE-125:D توسط Micron Technology. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | H5TC4G63CFR-PBL | MT41K256M16RE-125:D |
|---|---|---|
| برند | SK hynix | Micron Technology |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| اندازه حافظه | 4 Gb (256M x 16) | — |
| ولتاژ تغذیه | 1.35 V | 1.35 V |
| نرخ داده | 1600 Mbps (PC3L-12800) | 1600 MT/s |
| بسته‌بندی | 96-ball FBGA (TFBGA) | FBGA-96 (9x14 mm) |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Package Shape | RECTANGULAR | — |
| Terminal Form | BALL | — |
| Burst Length | 8 | 8, 4 |
| تأخیر CAS | 11, 12, 13 | 11 |
| Number of Banks | 8 | — |
| Refresh Period | 7.8 us at 85C | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| بدون هالوژن | Yes | — |
| Density | — | 4 Gb |
| سازمان | — | 256M x 16 |
| دمای کاری | — | 0C to +95C (TC) |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Auto-Refresh | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |