IAUC60N04S6L039ATMA1 vs BSC0504NSIATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IAUC60N04S6L039ATMA1 توسط Infineon و BSC0504NSIATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IAUC60N04S6L039ATMA1 IAUC60N04S6L039ATMA1 - 40V 60A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC60N04S6L039ATMA1 - 40V 60A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC60N04S6L039ATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IAUC60N04S6L039ATMA1 BSC0504NSIATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 6 (trench) —
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25C) 60 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) 240 A —
R_DS(on) max @ V_GS=10V 3.9 milliohm —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge (Q_G) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation (P_D) 42 W —
دمای اتصال کاری -55C to +175C —
بسته‌بندی PG-TDSON-8 (SSO8) 5x6 mm PG-TDSON-8-6
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
سطح MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
وضعیت RoHS Compliant unknown
Avalanche Rated Yes (100% avalanche tested) —
نوع ترانزیستور — N-channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage — 30 V
Continuous Drain Current at Ta — 21 A
Continuous Drain Current at Tc — 72 A
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
Power Dissipation at Tc — 30 W
Technology Family — OptiMOS 5
تعداد پین‌ها — 8 pins
Exposed Pad — Yes, according to distributor package description
On-State Resistance — [DATA_NEEDED: on-state resistance]
Gate Charge — [DATA_NEEDED: gate charge]
ولتاژ آستانه گیت — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
مقاومت حرارتی — [DATA_NEEDED: thermal resistance]
محدوده دمای کاری — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
AEC-Q100 Qualification — [DATA_NEEDED: AEC-Q100 qualification]
Lead-Free Status — unknown
Halogen-Free Status — unknown
REACH Status — unknown

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت