IAUZ40N08S5N100ATMA1 vs IAUT300N10S5N015ATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IAUZ40N08S5N100ATMA1 توسط Infineon و IAUT300N10S5N015ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Infineon
IAUZ40N08S5N100ATMA1 - 80V 40A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IAUZ40N08S5N100ATMA1 ✓ فعالInfineon
IAUT300N10S5N015ATMA1 - 100V 300A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
IAUT300N10S5N015ATMA1 ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | IAUZ40N08S5N100ATMA1 | IAUT300N10S5N015ATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Technology | OptiMOS-5 N-Channel MOSFET | OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 40 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | 68 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 10 mΩ @ VGS=10 V, ID=20 A | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| Total Gate Charge Qg typ | 24.2 nC @ VGS=10 V | — |
| Input Capacitance Ciss | 1591 pF @ VDS=40 V | — |
| Gate-Source Voltage VGS max | ±20 V | — |
| محدوده دمای کاری | -55 °C to +175 °C (TJ) | -55°C to +175°C |
| بسته‌بندی | PG-TDSON-8 (S3O8) 3.3 × 3.3 mm | PG-HSOF-8-1 (HSOF-8) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| سطح MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | MSL1 (260°C peak reflow) |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 qualified |
| وضعیت RoHS | Compliant | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 300 A |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 375 W |
| RDS(on) (typ, VGS=10V) | — | 1.5 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] |
| RoHS Compliance | — | RoHS compliant (Green product) |
| Avalanche Tested | — | 100% avalanche tested |
| Polarity | — | N-Channel |
| Mode of Operation | — | Enhancement-mode |