IPD135N03LGATMA1 vs BSC0906NSATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IPD135N03LGATMA1 توسط Infineon و BSC0906NSATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | IPD135N03LGATMA1 | BSC0906NSATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS™ | — |
| نوع ترانزیستور | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 30 A (Tc) | — |
| Power Dissipation (PD) | 31 W (Tc) | — |
| بسته‌بندی / کیس | PG-TO252-3 (DPAK), Surface Mount | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] |
| On-State Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS] | — |
| Gate Charge (Qg) | Ultra-low (per OptiMOS™ family spec) | — |
| Output Charge (Qoss) | Ultra-low (per OptiMOS™ family spec) | — |
| محدوده دمای کاری | -55°C to +175°C (TJ max typical for OptiMOS) | -55C to +150C (junction, typical) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| سطح MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free Finish | Yes | — |
| Qualification | Industrial (Infineon OptiMOS™ standard grade) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 18 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 63 A |
| Power Dissipation at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc | — | 30 W |
| بسته‌بندی | — | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8, 5x6 mm) |
| Technology | — | OptiMOS |
| RDS(on) max (typical reference) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V] |
| تعداد پایه | — | 8 |