IPD60R360P7SAUMA1 vs IPB60R280P7ATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IPD60R360P7SAUMA1 توسط Infineon و IPB60R280P7ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | IPD60R360P7SAUMA1 | IPB60R280P7ATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| قیمت واحد (USD) | — | $0.88 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS P7 | — |
| Technology | Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET | Superjunction (SJ) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 9 A | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 360 mOhm (typ, VGS = 10 V) | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 41 W | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.0 V to 4.5 V (typ) | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| بسته‌بندی / کیس | PG-TO252-3 (DPAK) | — |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| تعداد پین‌ها | 3 | — |
| محدوده دمای کاری | -55C to +150C (junction) | -55 °C to +150 °C (T_j max) |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| سطح MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Product Family | — | CoolMOS P7 (600 V) |
| نوع ترانزیستور | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V_DSS) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) | — | 12 A |
| On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) | — | 280 mOhm |
| Gate-Source Threshold V_GS(th) typ | — | 3.5 V |
| Power Dissipation P_D (T_C=25°C) | — | 53 W |
| بسته‌بندی | — | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| تعداد پایه | — | 3 (2 + Tab) |
| Configuration | — | Single N-Channel |
| Lead-Free | — | Yes |
| Generation | — | 7th Gen CoolMOS (successor to P6) |