IPD60R600P7ATMA1 vs IPL60R065P7AUMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IPD60R600P7ATMA1 توسط Infineon و IPL60R065P7AUMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | IPD60R600P7ATMA1 | IPL60R065P7AUMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Part Number | IPD60R600P7ATMA1 | — |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS P7 | — |
| نوع ترانزیستور | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | Superjunction (SJ) / CoolMOS | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, TC) | 6 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 490 mOhm (max) | — |
| Power Dissipation (PD, TC) | 30 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] | — |
| محدوده دمای کاری | -55C to +150C (TJ) | -55 °C to +150 °C (T<sub>j</sub>) |
| بسته‌بندی / کیس | PG-TO252-3 (DPAK), surface mount | — |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| سطح MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| Generation | CoolMOS 7th generation (P7, successor to P6) | — |
| Ordering Code Suffix | ATMA1 = Tape & Reel, 13-inch | — |
| Technology Family | — | CoolMOS™ P7 (superjunction) |
| Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25 °C) | — | 41 A |
| On-Resistance (R<sub>DS(on)</sub>, V<sub>GS</sub>=10 V) | — | 65 mΩ (max) |
| Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25 °C) | — | 201 W |
| Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) | — | 3.5 V |
| Input Capacitance (C<sub>iss</sub>, V<sub>DS</sub>=400 V) | — | 2895 pF |
| Rise Time (t<sub>r</sub>) | — | 7 ns |
| Fall Time (t<sub>f</sub>) | — | 4 ns |
| بسته‌بندی | — | PG-VSON-4 (surface mount with exposed pad) |
| تعداد پین‌ها | — | 4 |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Polarity | — | Single N-channel |
| Drain to Source Voltage | — | 650 V (rating per AiEMA spec) |
| R<sub>DS(on)</sub> (max, V<sub>GS</sub>=10 V, T<sub>j</sub>=25 °C) | — | 0.053 Ω |
| بدون هالوژن | — | Yes |