IR2127STRPBF vs IR2127SPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IR2127STRPBF توسط Infineon و IR2127SPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IR2127STRPBF IR2127STRPBF - 600V High-Side Gate Driver IC | Infineon

IR2127STRPBF - 600V High-Side Gate Driver IC | Infineon

IR2127STRPBF ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IR2127STRPBF IR2127SPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Configuration High-Side —
Supply Voltage Range 12 V to 20 V —
Output Voltage (Offset) up to 600 V —
Peak Source Current 250 mA —
Peak Sink Current 500 mA —
Propagation Delay 200 ns (typical) —
Input Logic Non-Inverting —
تعداد خروجی‌ها 1 1
زمان صعود 80 ns (typical) —
زمان افت 60 ns (typical) —
محدوده دمای کاری -40C to +125C —
بسته‌بندی 8-SOIC (3.90 mm body) 8-SOIC (SOIC-8)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
سطح MSL MSL3 (per JEDEC J-STD-020) —
Lead-Free / RoHS Pb-free (PBF), RoHS compliant —
dV/dt Immunity Yes (high-side floating channel) —
Integrated Current Sense Yes (cycle-by-cycle comparator) —
Channel Type — Single-channel, High-Side
Gate Driver Configuration — Non-Inverting Input
Peak Source Current (typ) — 0.25 A
Peak Sink Current (typ) — 0.5 A
Maximum Offset Voltage (High-Side) — +600 V
Negative Transient Tolerance — dV/dt immune, negative transient tolerant
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Logic Input Compatibility — CMOS / LSTTL, 3.3 V to VCC
Propagation Delay (typ) — 150 ns
Rise Time (typ, 1 nF load) — 80 ns
Fall Time (typ, 1 nF load) — 40 ns
Protection Features — Overcurrent detection with DESAT-style comparator, fault output
دمای کاری — -40 °C to +125 °C
وضعیت RoHS — Compliant (Pb-free suffix PBF)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت