IRFR120NTRPBF vs IRLR120NTRPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRFR120NTRPBF توسط Infineon و IRLR120NTRPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF - 100V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR120NTRPBF - 100V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR120NTRPBF ✓ فعال
Infineon
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF - 100V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLR120NTRPBF - 100V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLR120NTRPBF ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IRFR120NTRPBF IRLR120NTRPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Drain-to-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 9.4 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C 48 W —
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) max 210 milliohms at VGS=10V —
Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V to 4 V typical —
Total Gate Charge (Qg) typical 16.7 nC —
Gate-to-Source Charge (Qgs) [DATA_NEEDED: Qgs] —
Gate-to-Drain Charge (Qgd) [DATA_NEEDED: Qgd] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: Coss] —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) [DATA_NEEDED: Crss] —
محدوده دمای اتصال کاری -55C to +175C —
بسته‌بندی TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK), 3-pin surface mount
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Channel Type N-Channel Enhancement Mode —
Technology HEXFET (IR MOSFET fifth generation) HEXFET (Fifth Generation, planar)
Avalanche Energy Rating (EAS) [DATA_NEEDED: EAS] —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) max [DATA_NEEDED: RthJC] —
Lead-Free / RoHS Status Lead-Free, RoHS Compliant —
FET Type — N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 10 A
Continuous Drain Current (Id) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: Id at Tc=100C]
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed Idm]
Rds(on) Max at Vgs=10V — 185 mΩ
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: typical Vgs(th)]
Total Gate Charge (Qg) — 13.3 nC
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 48 W
محدوده دمای کاری — -55C to +175C (junction)
Avalanche Energy Rating — Fully avalanche rated
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix indicates lead-free)
سطح MSL — 1

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت