IRFR120NTRPBF vs IRLR120NTRPBF So sánh
So sánh chi tiết song song của IRFR120NTRPBF bằng Infineon và IRLR120NTRPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IRFR120NTRPBF | IRLR120NTRPBF |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 9.4 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C | 48 W | — |
| Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) max | 210 milliohms at VGS=10V | — |
| Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | 2 V to 4 V typical | — |
| Total Gate Charge (Qg) typical | 16.7 nC | — |
| Gate-to-Source Charge (Qgs) | [DATA_NEEDED: Qgs] | — |
| Gate-to-Drain Charge (Qgd) | [DATA_NEEDED: Qgd] | — |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss] | — |
| Output Capacitance (Coss) | [DATA_NEEDED: Coss] | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | [DATA_NEEDED: Crss] | — |
| Khoảng nhiệt độ mối nối hoạt động | -55C to +175C | — |
| Hộp | TO-252AA (DPAK) | TO-252AA (DPAK), 3-pin surface mount |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Channel Type | N-Channel Enhancement Mode | — |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET fifth generation) | HEXFET (Fifth Generation, planar) |
| Avalanche Energy Rating (EAS) | [DATA_NEEDED: EAS] | — |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) max | [DATA_NEEDED: RthJC] | — |
| Lead-Free / RoHS Status | Lead-Free, RoHS Compliant | — |
| FET Type | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (Vdss) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | — | 10 A |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=100C | — | [DATA_NEEDED: Id at Tc=100C] |
| Pulsed Drain Current (Idm) | — | [DATA_NEEDED: pulsed Idm] |
| Rds(on) Max at Vgs=10V | — | 185 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | [DATA_NEEDED: typical Vgs(th)] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 13.3 nC |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | — | 48 W |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | — | -55C to +175C (junction) |
| Avalanche Energy Rating | — | Fully avalanche rated |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (PBF suffix indicates lead-free) |
| Cấp MSL | — | 1 |