IRFR5505TRPBF vs IRFR5505TRLPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRFR5505TRPBF توسط Infineon و IRFR5505TRLPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRFR5505TRPBF IRFR5505TRLPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Series HEXFET —
Polarity P-Channel P-Channel
Technology IR MOSFET (HEXFET 5th generation) IR MOSFET™ (HEXFET® generation 5)
Drain-Source Voltage (VDS) max -55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C -18 A —
Pulsed Drain Current (IDM) -72 A [DATA_NEEDED: IDM]
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V 110 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 21.3 nC 21.3 nC
Gate-Source Charge (Qgs) [DATA_NEEDED: Qgs] —
Gate-Drain Charge (Qgd) [DATA_NEEDED: Qgd] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: Coss] —
Rise Time (tr) [DATA_NEEDED: tr] —
Fall Time (tf) [DATA_NEEDED: tf] —
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C 57 W —
دمای اتصال کاری -55 C to +175 C —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) 2.2 C/W —
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA) 50 C/W (typical, DPAK on 1 oz copper) —
بسته‌بندی TO-252AA (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK), surface mount
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
وضعیت RoHS Compliant (PBF suffix) —
Lead-Free Yes (PBF suffix) —
MOSFET Operating Mode — Enhancement
VDS (Drain-Source Voltage) — -55 V
VGS (Gate-Source Voltage) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Continuous Drain Current (ID) — -18 A (Tc)
On-Resistance RDS(on) max — 110 mOhm (VGS = -10 V)
Power Dissipation (PD) — 57 W (Tc = 25 °C)
محدوده دمای کاری — -55 °C to +175 °C
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) — [DATA_NEEDED: RθJC]
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix)
سطح MSL — 1

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت