IRLB4030PBF vs IRLB4132PBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRLB4030PBF توسط Infineon و IRLB4132PBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IRLB4132PBF IRLB4132PBF - 30V 78A N-Channel HEXFET MOSFET TO-220

IRLB4132PBF - 30V 78A N-Channel HEXFET MOSFET TO-220

IRLB4132PBF ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IRLB4030PBF IRLB4132PBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع ترانزیستور N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET (HEXFET)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 180 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 4.3 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge (Qg) 87 nC —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum, typical +/- 20 V] —
Power Dissipation (PD) at Tc 370 W —
محدوده دمای کاری -55C to +175C -55 C to +175 C
بسته‌بندی TO-220AB —
نوع نصب Through Hole Through Hole
Technology HEXFET (StrongIRFET family) —
Logic Level Drive Yes (optimized for 4.5 V to 10 V VGS) —
Qualification JEDEC —
وضعیت RoHS Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 78 A
Maximum Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 140 W
On-Resistance (RDS(on), VGS=10V) — 3.5 mOhm (typical)
On-Resistance (RDS(on), VGS=4.5V) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typical) — 1.0 V to 2.5 V
Gate Charge (Qg, typical) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Maximum Junction Temperature — 175 C
بسته‌بندی / کیس — TO-220AB (through-hole, 3 leads)
Lead-Free / RoHS — Yes (Pb-free PBF suffix)
AEC-Q101 Automotive Qualification — Not qualified (industrial/commercial)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت