IRLU024NPBF vs IRFR9024NTRPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRLU024NPBF توسط Infineon و IRFR9024NTRPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRLU024NPBF IRFR9024NTRPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
قیمت واحد (USD) — $0.17
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRLU024NPBF —
FET Type N-Channel, Logic-Level —
Technology HEXFET Power MOSFET (5th generation) HEXFET (Gen 5)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 17 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 65 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=5V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] —
Total Gate Charge (Qg) 10 nC (typical, per listing) 12.7 nC
Power Dissipation (PD) at TC=25C 45 W —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) 3.3 C/W —
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA) 110 C/W (50 C/W PCB-mounted) —
دمای اتصال کاری -55C to +175C -55C to +175C
بسته‌بندی IPAK (TO-251AA), Through Hole TO-252AA (DPAK)
نوع نصب Through Hole Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix indicates lead-free plating) —
Qualification JEDEC standard —
Gate Drive Voltage (optimized) 10 V (capable of 4.5 V) —
Polarity — P-Channel
VDS (Drain-Source Voltage) — -55 V
Continuous Drain Current (Tc=25C) — -11 A
جریان درین پالسی — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
VGS (Gate-Source Voltage) — ±20 V
VGS(th) (Threshold Voltage) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
RDS(on) Max at VGS=-10V — 175 mOhm
Maximum Power Dissipation (Tc=25C) — 38 W
تعداد پایه — 3
وضعیت RoHS — Compliant

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت