ISC0805NLSATMA1 vs ISC060N10NM6ATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار ISC0805NLSATMA1 توسط Infineon و ISC060N10NM6ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Infineon
ISC060N10NM6ATMA1 - 100V 97A OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon
ISC060N10NM6ATMA1 ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | ISC0805NLSATMA1 | ISC060N10NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS™ 5 | — |
| نوع ترانزیستور | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | 13 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 71 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 74 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 10.7 mΩ at 4.5V VGS; [DATA_NEEDED: RDS(on) max at 10V] | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V | 10.7 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 2.3 V | — |
| Gate Charge Qg typ at VGS=4.5V | 16 nC | — |
| Input Capacitance Ciss | 2.2 nF | — |
| Reverse Transfer Capacitance Crss | 23 pF | — |
| Output Capacitance Coss | 360 pF | — |
| بسته‌بندی | PG-TDSON-8-46 (SuperSO8 5x6) | PG-TDSON-8 FL (5.15 x 6.15 mm) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| محدوده دمای کاری | -55 °C to +150 °C | -55 °C to +175 °C (TJ) |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| Series | — | OptiMOS 6 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 15 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 97 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 6 mΩ at VGS = 10 V, ID = 25 A |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3.3 V (typical) |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 3 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 125 W |
| Technology | — | OptiMOS 6 (thin-wafer trench) |
| Polarity | — | N-Channel |
| سطح MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |