ISZ173N15NM6ATMA1 vs IPC100N04S5L1R5ATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار ISZ173N15NM6ATMA1 توسط Infineon و IPC100N04S5L1R5ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | ISZ173N15NM6ATMA1 | IPC100N04S5L1R5ATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 6 150V | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 7.9 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 48 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 94 W | — |
| Technology | OptiMOS 6 trench-gate MOSFET | — |
| بسته‌بندی | PG-TSDSON-8 FL | PG-TDSON-8-34 (SS08 leadless) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Operating Mode | Enhancement Mode | — |
| Application | Hard and soft switching, high/low frequency | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant (Green Product) |
| Tape & Reel Quantity | 5000 | — |
| Product Family | — | OptiMOS-5 40 V |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel, Enhancement Mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 40 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | 20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 100 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM] |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 115 W |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10 V | — | 1.5 mOhm (typ) |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5 V | — | 1.8 mOhm (typ) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] |
| محدوده دمای کاری | — | -55C to +175C |
| سطح MSL | — | MSL1 (260C peak reflow) |
| AEC-Q101 Qualified | — | Yes |
| Avalanche Tested | — | 100% |