K4A4G085WD-BCTD vs MT40A512M8RH-075E:B مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4A4G085WD-BCTD توسط Samsung Electronics و MT40A512M8RH-075E:B توسط Micron Technology. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Samsung Electronics
K4A4G085WD-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM 512Mx8 2666Mbps | Samsung
K4A4G085WD-BCTD ✓ فعالMicron Technology
MT40A512M8RH-075E:B - DDR4 4Gb 2666 MT/s SDRAM | Micron
MT40A512M8RH-075E:B ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | K4A4G085WD-BCTD | MT40A512M8RH-075E:B |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Micron Technology |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Die Generation | D-die | — |
| Density | 4 Gb | 4 Gbit |
| سازمان | 512M x 8 | 512M x 8 |
| نرخ داده | 2666 Mbps/pin | 2666 MT/s (DDR4-2666) |
| ولتاژ تغذیه | 1.2 V | — |
| دمای کاری | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature range (standard grade)] |
| بسته‌بندی | 78-ball FBGA | 78-FBGA (9 x 10.5 mm), TFBGA |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| رابط | DDR4 (JEDEC-compatible) | — |
| Speed Class | DDR4-2666 (PC4-21300) | — |
| Bank Architecture | DDR4 bank-group architecture | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| DLL | Yes | — |
| وضعیت RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| سطح MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Clock Frequency | — | 1333 MHz (1.33 GHz) |
| VDD Supply Voltage | — | 1.2 V +/-60 mV |
| VDDQ Supply Voltage | — | 1.2 V +/-60 mV |
| VPP Supply Voltage | — | 2.5 V, -125 mV/+250 mV |
| نوع رابط | — | Parallel |
| I/O Structure | — | 1.2V pseudo open-drain |
| ولتاژ مرجع | — | On-die internal adjustable VREFDQ generation |
| Refresh | — | Refresh max interval extension at extended TC temperature range (125C capable per family features) |
| Speed Grade Suffix | — | -075E |
| Packaging Option Suffix | — | :B (ball map B designation per Mouser listing) |