K4B4G1646E-BYMA vs H5TC4G63CFR-XXL مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار K4B4G1646E-BYMA توسط Samsung Electronics و H5TC4G63CFR-xxL توسط SK hynix. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA ✓ فعال
SK hynix
H5TC4G63CFR-xxL H5TC4G63CFR-xxL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63CFR-xxL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63CFR-xxL ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر K4B4G1646E-BYMA H5TC4G63CFR-xxL
برند Samsung Electronics SK hynix
دسته‌بندی Memory ICs Memory ICs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
قیمت واحد (USD) $14.32 —
نوع حافظه DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gb 4Gb
سازمان 256M x 16 256M x 16
ولتاژ تغذیه 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) 1.35V
Clock Frequency 933 MHz —
نرخ داده 1866 Mbps/pin [DATA_NEEDED: data rate]
دمای کاری 0°C to +95°C —
Operating Current 14 mA —
Standby Current 2 mA, 3 mA —
بسته‌بندی FBGA-96 96-pin FBGA
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
RoHS Compliant Compliant
تأخیر CAS [DATA_NEEDED: CAS Latency] [DATA_NEEDED: CAS latency]
Burst Length [DATA_NEEDED: Burst Length] 8 (with burst chop)
تعداد پین‌ها 96 96
محدوده دمای کاری — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Lead-Free — Yes
بدون هالوژن — Yes
رابط — DDR3L

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت