K6X0808C1D-GF70000 vs K6X0808C1D-GF55T00 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار K6X0808C1D-GF70000 توسط Samsung Electronics و K6X0808C1D-GF55T00 توسط Samsung Electro-Mechanics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Samsung Electronics
K6X0808C1D-GF70000 K6X0808C1D-GF70000 - 256Kbit 5V SRAM 70ns | Samsung | 28-SOP

K6X0808C1D-GF70000 - 256Kbit 5V SRAM 70ns | Samsung | 28-SOP

K6X0808C1D-GF70000 ✓ فعال
Samsung Electro-Mechanics
K6X0808C1D-GF55T00 K6X0808C1D-GF55T00 - 32Kx8 SRAM 55ns 28-SOP | Samsung

K6X0808C1D-GF55T00 - 32Kx8 SRAM 55ns 28-SOP | Samsung

K6X0808C1D-GF55T00 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر K6X0808C1D-GF70000 K6X0808C1D-GF55T00
برند Samsung Electronics Samsung Electro-Mechanics
دسته‌بندی DRAM Memory ICs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع حافظه SRAM - Asynchronous SRAM - Asynchronous
اندازه حافظه 256 Kbit 256 Kbit
سازمان 32K x 8 bit 32K x 8
رابط Parallel Parallel
Access Time 70 ns 55 ns
Supply Voltage - Min 4.5 V —
Supply Voltage - Max 5.5 V —
Technology Low Power CMOS CMOS
Address Bus Width 15 bit (A0-A14) —
عرض گذرگاه داده 8 bit (tri-state I/O) —
Control Signals CE, OE, WE —
Input/Output Levels TTL compatible —
بسته‌بندی 28-SOP 28-SOP (450 mil)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
دمای کاری [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range for GF grade]
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] [DATA_NEEDED: standby current]
Operating Current [DATA_NEEDED: operating current] [DATA_NEEDED: operating current]
وضعیت RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Clock Frequency — N/A (asynchronous)
ولتاژ تغذیه — [DATA_NEEDED: supply voltage range]
Data Retention — Low data retention voltage supported
Packaging Variant — Tape & Reel (T00 suffix)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت