K9F2808Q0B vs K9PDG08U5M مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K9F2808Q0B توسط Samsung Electronics و K9PDG08U5M توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Samsung Electronics
K9F2808Q0B - 128Mb SLC NAND Flash 1.8V 63-TBGA | Samsung
K9F2808Q0B ✗ پایان تولیدSamsung Electronics
K9PDG08U5M - 4Gb x8 SLC NAND Flash 3.3V | Samsung Electronics
K9PDG08U5M ✗ پایان تولیدمقایسه مشخصات
| پارامتر | K9F2808Q0B | K9PDG08U5M |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | EEPROM |
| وضعیت چرخه عمر | پایان عمر محصول | پایان عمر محصول |
| نوع حافظه | SLC NAND Flash (parallel) | NAND Flash (SLC) |
| Density | 128 Mbit | 4 Gbit |
| سازمان | 16M x 8 | x8 (multiplexed I/O) |
| Operating Voltage (VCC) | 1.7 V to 1.95 V | — |
| Read Access Speed | 50 ns | — |
| Cell Type | SLC (1 bit/cell) | — |
| رابط | 8-bit multiplexed address/data | — |
| بسته‌بندی | 63-pin TBGA | TSOP1-48 |
| Temperature Grade | C (commercial), I (industrial) | — |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Page Size | [DATA_NEEDED: page size] | [DATA_NEEDED: page size] |
| Block Size | [DATA_NEEDED: block size] | [DATA_NEEDED: block size] |
| Typical Read Current (Icc1) | [DATA_NEEDED: Icc1] | — |
| Program/Erase Endurance | [DATA_NEEDED: endurance cycles] | — |
| وضعیت RoHS | unknown | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Production Status | Mass production (per legacy datasheet); now EOL/obsolete | — |
| ولتاژ تغذیه | — | [DATA_NEEDED: supply voltage range] |
| Page Read Time | — | [DATA_NEEDED: page read time] |
| Page Program Time | — | [DATA_NEEDED: page program time] |
| Block Erase Time | — | [DATA_NEEDED: block erase time] |
| Access Interface | — | Asynchronous multiplexed address/data, CLE/ALE control |
| Ready/Busy Output | — | Yes (R/B, open-drain) |
| Write Protect Pin | — | Yes (/WP) |
| دمای کاری | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Endurance | — | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] |