K9LUGY8J7D-CCK0 vs K9HUGY8J5B-CCK0 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار K9LUGY8J7D-CCK0 توسط Samsung Electronics و K9HUGY8J5B-CCK0 توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Samsung Electronics
K9LUGY8J7D-CCK0 K9LUGY8J7D-CCK0 - Samsung V-NAND TLC Flash | Samsung Electronics

K9LUGY8J7D-CCK0 - Samsung V-NAND TLC Flash | Samsung Electronics

K9LUGY8J7D-CCK0 ✓ فعال
Samsung Electronics
K9HUGY8J5B-CCK0 K9HUGY8J5B-CCK0 - 3D V-NAND TLC Flash | Samsung | SSD Storage

K9HUGY8J5B-CCK0 - 3D V-NAND TLC Flash | Samsung | SSD Storage

K9HUGY8J5B-CCK0 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر K9LUGY8J7D-CCK0 K9HUGY8J5B-CCK0
برند Samsung Electronics Samsung Electronics
دسته‌بندی Memory ICs Memory ICs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Samsung Electronics Samsung Electronics
نوع حافظه NAND Flash (V-NAND) 3D V-NAND TLC Flash
Memory Cell Type TLC (Triple-Level Cell) —
Technology V-NAND (vertical NAND) —
بسته‌بندی BGA (surface mount) —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
رابط [DATA_NEEDED: interface type / toggle DDR mode] —
Density [DATA_NEEDED: total density (bits)] [DATA_NEEDED: density]
Page Size [DATA_NEEDED: page size] [DATA_NEEDED: page size]
Block Size [DATA_NEEDED: block size] [DATA_NEEDED: block size]
ولتاژ تغذیه [DATA_NEEDED: supply voltage (V)] [DATA_NEEDED: supply voltage]
دمای کاری [DATA_NEEDED: temperature range (C)] [DATA_NEEDED: operating temperature]
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: P/E cycles] —
Data Retention [DATA_NEEDED: retention] —
Speed Grade Code CCK0 (per Samsung part-number convention) —
وضعیت RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
سازمان — [DATA_NEEDED: organization]
نوع رابط — [DATA_NEEDED: interface type]
Program/Erase Cycles — [DATA_NEEDED: P/E cycles]
Access Time — [DATA_NEEDED: access time]
Package Type — [DATA_NEEDED: package type]
تعداد پایه — [DATA_NEEDED: pin count]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت