M29F400FT55N3F2 vs M29F400FB55M3F2 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار M29F400FT55N3F2 توسط Micron Technology و M29F400FB55M3F2 توسط Micron Technology. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Micron Technology
M29F400FT55N3F2 M29F400FT55N3F2 - 4Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F400FT55N3F2 - 4Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F400FT55N3F2 ✓ فعال
Micron Technology
M29F400FB55M3F2 M29F400FB55M3F2 - 4Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F400FB55M3F2 - 4Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F400FB55M3F2 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر M29F400FT55N3F2 M29F400FB55M3F2
برند Micron Technology Micron Technology
دسته‌بندی EEPROM Memory ICs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع حافظه NOR Flash (SLC) NOR Flash, Parallel
اندازه حافظه 4 Mbit —
سازمان 256K x 16 512K x 8 / 256K x 16
رابط Parallel —
Access Time 55 ns 55 ns
ولتاژ تغذیه 5 V —
Block Architecture Top boot block —
بسته‌بندی 44-SO (SOP-44) —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Temperature Grade Auto Grade 3, up to +125C (per Micron ordering code) —
Compliance Suffix F2 (RoHS-compliant, lead-free plating) —
Programming Voltage Single supply (no 12 V VPP required) —
Technology Floating-gate NOR cell, charge-pump program/erase —
Max Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] —
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: endurance cycles] —
دمای کاری [DATA_NEEDED: min operating temperature] -40C to +125C
Density — 4194 kbits (4 Mbit)
Supply Voltage (VCC) — 5 V
Boot Block Position — Bottom boot block
Grade — Automotive (Auto Grade, 125C)
Package Type — 44-pin SO (SOP), wide body
Programming — Embedded byte/word program algorithm
Erase — Embedded program/erase controller, block erase
Packaging — Tape and Reel (TR)
وضعیت RoHS — RoHS-compliant package (F2 suffix)
Bus Width — 8-bit or 16-bit (selectable)
تعداد پین‌ها — 44

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت