M29F400FT55N3F2 vs M29F800FB55M3F2 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار M29F400FT55N3F2 توسط Micron Technology و M29F800FB55M3F2 توسط Micron Technology. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Micron Technology
M29F400FT55N3F2 - 4Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron
M29F400FT55N3F2 ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | M29F400FT55N3F2 | M29F800FB55M3F2 |
|---|---|---|
| برند | Micron Technology | Micron Technology |
| دسته‌بندی | EEPROM | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | NOR Flash (SLC) | NOR Flash, Parallel |
| اندازه حافظه | 4 Mbit | — |
| سازمان | 256K x 16 | 512K x 16-bit / 1M x 8-bit |
| رابط | Parallel | Parallel, Asynchronous |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| ولتاژ تغذیه | 5 V | — |
| Block Architecture | Top boot block | — |
| بسته‌بندی | 44-SO (SOP-44) | 44-pin SO (SOIC-44) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperature Grade | Auto Grade 3, up to +125C (per Micron ordering code) | — |
| Compliance Suffix | F2 (RoHS-compliant, lead-free plating) | — |
| Programming Voltage | Single supply (no 12 V VPP required) | — |
| Technology | Floating-gate NOR cell, charge-pump program/erase | — |
| Max Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | — |
| Program/Erase Endurance | [DATA_NEEDED: endurance cycles] | — |
| دمای کاری | [DATA_NEEDED: min operating temperature] | -40C to +125C |
| Density | — | 8389 kbits (8 Mbit) |
| Number of Words | — | 512 k |
| Bits per Word | — | 16 bits |
| Supply Voltage (VCC) | — | 5 V |
| Boot Block Type | — | Bottom Boot Block |
| Programming | — | Embedded byte/word program algorithms |
| OTP Area | — | 64 byte |
| Automotive Qualification | — | Auto Grade 3 (temperature grade 3, +125C) |
| Packing | — | Tape & Reel (T/R) |
| وضعیت RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Endurance | — | [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] |