MT40A512M16JY-075E vs MT40A512M16HA-083E مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار MT40A512M16JY-075E توسط Micron Technology و MT40A512M16HA-083E توسط Micron Technology. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Micron Technology
MT40A512M16JY-075E MT40A512M16JY-075E - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-075E - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-075E ✓ فعال
Micron Technology
MT40A512M16HA-083E MT40A512M16HA-083E - 8Gb DDR4-2400 SDRAM | Micron

MT40A512M16HA-083E - 8Gb DDR4-2400 SDRAM | Micron

MT40A512M16HA-083E ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر MT40A512M16JY-075E MT40A512M16HA-083E
برند Micron Technology Micron Technology
دسته‌بندی Memory ICs Memory ICs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع حافظه DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
اندازه حافظه 8 Gbit —
سازمان 512M x 16 —
Clock Frequency 1.33 GHz —
نرخ داده 2666 MT/s 1.2 GHz data clock; DDR4-2400 class
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.14V to 1.26V —
VPP Voltage 2.5V (-125mV, +250mV) —
رابط Parallel —
بسته‌بندی 96-FBGA (8x14) 96-ball FBGA, 9 x 14 mm
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
محدوده دمای کاری 0°C to +95°C (TC) —
Refresh Time 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
ویژگی‌ها Auto precharge, data mask, dynamic on-chip termination, write leveling, auto self-refresh, CRC —
I/O Type 1.2V pseudo open-drain —
Memory Density — 8Gbit
Memory Organization — 512M x 16
Data Interface — Parallel DDR4, 16-bit
VDD Supply — 1.2 V plus or minus 60 mV
VDDQ Supply — 1.2 V plus or minus 60 mV
VPP Supply — 2.5 V, -125 mV to +250 mV
I/O Interface — 1.2V pseudo open-drain
ولتاژ مرجع — On-die internal adjustable VREFDQ
Refresh Cycle Count — 8192 cycles
Refresh Time, -40C to 85C — 64 ms
Refresh Time, >85C to 95C — 32 ms
Refresh Time, >95C — 16 ms
Ball Pitch — 0.8 mm
دمای کاری — [DATA_NEEDED: operating temperature range]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت