MT40A512M16TB-062E:J vs NT5AD512M16B4-HR مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار MT40A512M16TB-062E:J توسط Micron Technology و NT5AD512M16B4-HR توسط Nanya Technology. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | MT40A512M16TB-062E:J | NT5AD512M16B4-HR |
|---|---|---|
| برند | Micron Technology | Nanya Technology |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | SDRAM - DDR4 | DDR4 SDRAM |
| اندازه حافظه | 8Gbit (512M x 16) | — |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | — |
| Access Time | 19 ns | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2V ±60mV | — |
| VPP Supply Voltage | 2.5V (-125mV, +250mV) | — |
| I/O Type | 1.2V pseudo open-drain | — |
| Refresh Time | 64ms at -40°C to 85°C; 32ms at >85°C to 95°C; 16ms at >95°C | — |
| Internal Banks (x16) | 8 (2 groups of 4 banks each) | — |
| Prefetch Architecture | 8n-bit | — |
| بسته‌بندی | 96-FBGA (7.5x13.5 mm) | 96-ball TFBGA |
| محدوده دمای کاری | 0°C to 95°C | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| نوع نصب | Surface Mount | — |
| Density | — | 8Gb |
| سازمان | — | 512M x 16 |
| ولتاژ تغذیه | — | 1.2V |
| Temperature Range | — | 0°C to +95°C |
| نرخ داده | — | 3200 Mbps |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Built-in Temperature Sensor | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |