1ED3124MC12HXUMA1 vs 1EDI60H12AHXUMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de 1ED3124MC12HXUMA1 par Infineon et 1EDI60H12AHXUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
1EDI60H12AHXUMA1 - 1200V Isolated Gate Driver, 10A Source | Infineon
1EDI60H12AHXUMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | 1ED3124MC12HXUMA1 | 1EDI60H12AHXUMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,45 | $2,18 |
| Channel Type | Single-channel | — |
| Configuration | High-side / Low-side (non-inverting) | — |
| Number of Drivers | 1 | — |
| Nombre de sorties | 1 | — |
| Peak Source Current | 13.5 A | — |
| Peak Sink Current | 14 A | — |
| Isolation Technology | Magnetic coupling (coreless transformer) | Galvanic isolation via coreless transformer |
| Isolation Voltage (RMS) | 5.7 kV | — |
| Transient Overvoltage | 8000 Vpk | — |
| Supply Voltage (VCC2) | 10.5 V to 35 V | — |
| Supply Current (Max) | 1.1 mA | — |
| Propagation Delay (Typ) | 90 ns | — |
| Temps de montée | 15 ns | — |
| Temps de descente | 30 ns | — |
| Température de fonctionnement | -40 C to +125 C | -40C to +125C [DATA_NEEDED: confirm exact range from datasheet] |
| Boîtier | PG-DSO-8 (DSO-8) | PG-DSO-8-59 (DSO-8 with 8 mm creepage) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Protections | UVLO, Short-Circuit (DESAT) | — |
| Target Devices | IGBT, SiC MOSFET | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Product Type | — | Single-channel high-side gate driver IC |
| Isolation Voltage Rating | — | 1200 V |
| Number of Channels | — | 1 |
| Peak Source Current (typ.) | — | 10.0 A |
| Peak Sink Current (typ.) | — | 9.4 A |
| Configuration de sortie | — | Separate source and sink (SEP) outputs |
| Input Compatibility | — | CMOS / TTL logic |
| Driven Device | — | IGBT (and MOSFET / SiC compatible) |
| Creepage Distance | — | 8 mm |
| Short-Circuit Protection | — | Short-circuit clamping |
| Niveau MSL | — | 2 (1 year floor life) |