1ED3124MC12HXUMA1 vs 1EDI60H12AHXUMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: 1ED3124MC12HXUMA1 제조: Infineon 및 1EDI60H12AHXUMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | 1ED3124MC12HXUMA1 | 1EDI60H12AHXUMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.45 | $2.18 |
| Channel Type | Single-channel | — |
| Configuration | High-side / Low-side (non-inverting) | — |
| Number of Drivers | 1 | — |
| 출력 수 | 1 | — |
| Peak Source Current | 13.5 A | — |
| Peak Sink Current | 14 A | — |
| Isolation Technology | Magnetic coupling (coreless transformer) | Galvanic isolation via coreless transformer |
| Isolation Voltage (RMS) | 5.7 kV | — |
| Transient Overvoltage | 8000 Vpk | — |
| Supply Voltage (VCC2) | 10.5 V to 35 V | — |
| Supply Current (Max) | 1.1 mA | — |
| Propagation Delay (Typ) | 90 ns | — |
| 상승 시간 | 15 ns | — |
| 하강 시간 | 30 ns | — |
| 동작 온도 | -40 C to +125 C | -40C to +125C [DATA_NEEDED: confirm exact range from datasheet] |
| 패키지 | PG-DSO-8 (DSO-8) | PG-DSO-8-59 (DSO-8 with 8 mm creepage) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Protections | UVLO, Short-Circuit (DESAT) | — |
| Target Devices | IGBT, SiC MOSFET | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Product Type | — | Single-channel high-side gate driver IC |
| Isolation Voltage Rating | — | 1200 V |
| Number of Channels | — | 1 |
| Peak Source Current (typ.) | — | 10.0 A |
| Peak Sink Current (typ.) | — | 9.4 A |
| 출력 구성 | — | Separate source and sink (SEP) outputs |
| Input Compatibility | — | CMOS / TTL logic |
| Driven Device | — | IGBT (and MOSFET / SiC compatible) |
| Creepage Distance | — | 8 mm |
| Short-Circuit Protection | — | Short-circuit clamping |
| MSL 레벨 | — | 2 (1 year floor life) |