1ED3124MU12HXUMA1 vs 1EDN6550BXTSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 1ED3124MU12HXUMA1 par Infineon et 1EDN6550BXTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 1ED3124MU12HXUMA1 1EDN6550BXTSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,89 $0,44
Product Type Single-channel isolated gate driver IC Single-channel gate driver IC
Manufacturer Family EiceDRIVER Compact 1ED31xxMU12H (X3 compact) —
Peak Output Current (source/sink) 14 A typical —
Configuration de sortie Separate source and sink pins —
Galvanic Isolation (rms) 5.7 kV (UL 1577) —
Working Voltage (continuous) 1200 V —
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) 200 kV/us minimum —
Propagation Delay (typ.) 90 ns —
UVLO Threshold 10.5 V —
Isolation Technology Coreless transformer (CT) —
Boîtier PG-DSO-8-66 (DSO-8 wide-body) PG-SOT23-6-3 (SOT-23-6)
Creepage Distance >8 mm —
Plage de température de fonctionnement -40C to +125C —
Target Switch Types IGBT, power MOSFET, SiC MOSFET —
Recommended Switch Class Up to 2300 V IGBT / SiC modules —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL MSL2 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL level]
Statut RoHS Compliant Compliant
Driver Configuration — High-Side / Low-Side, Non-Inverting
Nombre de sorties — 1
Peak Source Current — 4 A
Peak Sink Current — 8 A
Minimum Pulse Width — 29 ns
Input Type — Differential (TTL-compatible)
Supply Voltage Range — [DATA_NEEDED: VCC range]
UVLO Protection — Yes (integrated)
Température de fonctionnement — -40C to +125C
Nombre de broches — 6

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis