1ED3124MU12HXUMA1 vs 1EDN6550BXTSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de 1ED3124MU12HXUMA1 por Infineon e 1EDN6550BXTSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro 1ED3124MU12HXUMA1 1EDN6550BXTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,89 $0,44
Product Type Single-channel isolated gate driver IC Single-channel gate driver IC
Manufacturer Family EiceDRIVER Compact 1ED31xxMU12H (X3 compact) —
Peak Output Current (source/sink) 14 A typical —
Configuração de saída Separate source and sink pins —
Galvanic Isolation (rms) 5.7 kV (UL 1577) —
Working Voltage (continuous) 1200 V —
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) 200 kV/us minimum —
Propagation Delay (typ.) 90 ns —
UVLO Threshold 10.5 V —
Isolation Technology Coreless transformer (CT) —
Encapsulamento PG-DSO-8-66 (DSO-8 wide-body) PG-SOT23-6-3 (SOT-23-6)
Creepage Distance >8 mm —
Faixa de temperatura de operação -40C to +125C —
Target Switch Types IGBT, power MOSFET, SiC MOSFET —
Recommended Switch Class Up to 2300 V IGBT / SiC modules —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL MSL2 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL level]
Status RoHS Compliant Compliant
Driver Configuration — High-Side / Low-Side, Non-Inverting
Número de saídas — 1
Peak Source Current — 4 A
Peak Sink Current — 8 A
Minimum Pulse Width — 29 ns
Input Type — Differential (TTL-compatible)
Supply Voltage Range — [DATA_NEEDED: VCC range]
UVLO Protection — Yes (integrated)
Temperatura de operação — -40C to +125C
Contagem de pinos — 6

Fichas técnicas e recursos

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