1EDN7126GXTMA1 vs 2EDL8124GXUMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 1EDN7126GXTMA1 par Infineon et 2EDL8124GXUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 1EDN7126GXTMA1 2EDL8124GXUMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,29 $0,98
Fonction Single-channel TDI gate driver for GaN HEMT and Si MOSFET —
Configuration Non-Inverting —
Channel Type Single —
Driven Supply Voltage [DATA_NEEDED: VCC max value] —
Peak Source Current 1.5 A 3 A
Peak Sink Current 1.5 A 4 A
Common-Mode Voltage (CMR) 200 V —
Input Type Truly Differential Input (TDI) Non-inverting, TTL-compatible with hysteresis
Propagation Delay (Typ.) [DATA_NEEDED: tpd typical value] —
Rise / Fall Time (Typ.) [DATA_NEEDED: tr / tf typical value] —
Plage de température de fonctionnement -40C to +125C [DATA_NEEDED: operating temperature range in C]
Boîtier PG-VSON-10-4 PG-VDSON-8-4 (4 mm x 4 mm) with exposed pad
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Statut RoHS Compliant Compliant
Reach Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V TTL/CMOS (TDI) —
Driver Configuration — Half-bridge (high-side + low-side)
Number of Drivers — 2
Bootstrap Supply (VBS) Maximum — 120 V
VCC Supply Range — [DATA_NEEDED: VCC min/max typical range]
Isolation Type — Junction isolation (JI)
Bootstrap Diode — Integrated
Propagation Delay (typical) — < 50 ns
Delay Matching Between Channels — [DATA_NEEDED: delay matching spec in ns]
UVLO — Present on VCC and VBS

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