1EDN7126GXTMA1 vs 2EDL8124GXUMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок 1EDN7126GXTMA1 от Infineon и 2EDL8124GXUMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
1EDN7126GXTMA1 1EDN7126GXTMA1 - 1.5A 200V TDI Gate Driver for GaN | Infineon

1EDN7126GXTMA1 - 1.5A 200V TDI Gate Driver for GaN | Infineon

1EDN7126GXTMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр 1EDN7126GXTMA1 2EDL8124GXUMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,29 $0,98
Функция Single-channel TDI gate driver for GaN HEMT and Si MOSFET —
Configuration Non-Inverting —
Channel Type Single —
Driven Supply Voltage [DATA_NEEDED: VCC max value] —
Peak Source Current 1.5 A 3 A
Peak Sink Current 1.5 A 4 A
Common-Mode Voltage (CMR) 200 V —
Input Type Truly Differential Input (TDI) Non-inverting, TTL-compatible with hysteresis
Propagation Delay (Typ.) [DATA_NEEDED: tpd typical value] —
Rise / Fall Time (Typ.) [DATA_NEEDED: tr / tf typical value] —
Диапазон рабочих температур -40C to +125C [DATA_NEEDED: operating temperature range in C]
Корпус PG-VSON-10-4 PG-VDSON-8-4 (4 mm x 4 mm) with exposed pad
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Уровень MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Статус RoHS Compliant Compliant
Reach Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V TTL/CMOS (TDI) —
Driver Configuration — Half-bridge (high-side + low-side)
Number of Drivers — 2
Bootstrap Supply (VBS) Maximum — 120 V
VCC Supply Range — [DATA_NEEDED: VCC min/max typical range]
Isolation Type — Junction isolation (JI)
Bootstrap Diode — Integrated
Propagation Delay (typical) — < 50 ns
Delay Matching Between Channels — [DATA_NEEDED: delay matching spec in ns]
UVLO — Present on VCC and VBS

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену