1EDN7136UXTSA1 vs 2EDN7533RXTMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 1EDN7136UXTSA1 par Infineon et 2EDN7533RXTMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 1EDN7136UXTSA1 2EDN7533RXTMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,74 $0,55
Fonction High-side / Low-side gate driver IC Dual-channel low-side gate driver
Driven Device Type GaN HEMT, N-channel MOSFET —
Nombre de sorties 2 (high-side and low-side) —
Peak Source Current 1 A —
Peak Sink Current 2 A —
Driver Supply Voltage (Max) 200 V —
Logic Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range] —
Input Type Truly Differential Input (TDI) —
Active Miller Clamp Yes (integrated) —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes (driver supply and logic input) —
Propagation Delay (Typ) [DATA_NEEDED: propagation delay value] —
Plage de température de fonctionnement -40 C to +150 C —
Boîtier TSNP-6 with exposed pad (PG-VSON-1) PG-TSSOP-8 (HTSSOP) with exposed pad
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Sans halogène Yes (per Infineon product family convention) —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Number of Channels — 2
Input Polarity — Inverting
Peak Source/Sink Output Current — 5 A
Output Resistance (Pull-up, typ.) — 0.5 ohm
Output Resistance (Pull-down, typ.) — 0.3 ohm
Propagation Delay (typ.) — 19 ns
Channel-to-Channel Delay Matching — 1.3 ns (typ.)
Rise/Fall Time — 1.7 ns / 1.5 ns (typ., 1 nF load)
Input Logic Compatibility — LV-TTL
Input Voltage Tolerance — -12 V to +22 V
Supply Voltage VDD (recommended) — 4.5 V to 20 V
Supply Voltage VDD (absolute max) — 25 V
Under-Voltage Lockout — Yes (per channel)
Température de jonction en fonctionnement — -40 C to +150 C

Fiches techniques et ressources

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