1EDN7136UXTSA1 vs 2EDN7533RXTMA1 比較

詳細な並列比較: 1EDN7136UXTSA1 メーカー: Infineon および 2EDN7533RXTMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
2EDN7533RXTMA1 2EDN7533RXTMA1 - Dual 5A Low-Side Gate Driver | Infineon

2EDN7533RXTMA1 - Dual 5A Low-Side Gate Driver | Infineon

2EDN7533RXTMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ 1EDN7136UXTSA1 2EDN7533RXTMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.74 $0.55
機能 High-side / Low-side gate driver IC Dual-channel low-side gate driver
Driven Device Type GaN HEMT, N-channel MOSFET —
出力数 2 (high-side and low-side) —
Peak Source Current 1 A —
Peak Sink Current 2 A —
Driver Supply Voltage (Max) 200 V —
Logic Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range] —
Input Type Truly Differential Input (TDI) —
Active Miller Clamp Yes (integrated) —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes (driver supply and logic input) —
Propagation Delay (Typ) [DATA_NEEDED: propagation delay value] —
動作温度範囲 -40 C to +150 C —
パッケージ TSNP-6 with exposed pad (PG-VSON-1) PG-TSSOP-8 (HTSSOP) with exposed pad
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
RoHS ステータス Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
ハロゲンフリー Yes (per Infineon product family convention) —
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Number of Channels — 2
Input Polarity — Inverting
Peak Source/Sink Output Current — 5 A
Output Resistance (Pull-up, typ.) — 0.5 ohm
Output Resistance (Pull-down, typ.) — 0.3 ohm
Propagation Delay (typ.) — 19 ns
Channel-to-Channel Delay Matching — 1.3 ns (typ.)
Rise/Fall Time — 1.7 ns / 1.5 ns (typ., 1 nF load)
Input Logic Compatibility — LV-TTL
Input Voltage Tolerance — -12 V to +22 V
Supply Voltage VDD (recommended) — 4.5 V to 20 V
Supply Voltage VDD (absolute max) — 25 V
Under-Voltage Lockout — Yes (per channel)
動作接合温度 — -40 C to +150 C

データシート&リソース

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