1EDN7136UXTSA1 vs 2EDN7533RXTMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: 1EDN7136UXTSA1 제조: Infineon 및 2EDN7533RXTMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 1EDN7136UXTSA1 2EDN7533RXTMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.74 $0.55
기능 High-side / Low-side gate driver IC Dual-channel low-side gate driver
Driven Device Type GaN HEMT, N-channel MOSFET —
출력 수 2 (high-side and low-side) —
Peak Source Current 1 A —
Peak Sink Current 2 A —
Driver Supply Voltage (Max) 200 V —
Logic Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range] —
Input Type Truly Differential Input (TDI) —
Active Miller Clamp Yes (integrated) —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes (driver supply and logic input) —
Propagation Delay (Typ) [DATA_NEEDED: propagation delay value] —
동작 온도 범위 -40 C to +150 C —
패키지 TSNP-6 with exposed pad (PG-VSON-1) PG-TSSOP-8 (HTSSOP) with exposed pad
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
RoHS 상태 Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
할로겐 프리 Yes (per Infineon product family convention) —
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Number of Channels — 2
Input Polarity — Inverting
Peak Source/Sink Output Current — 5 A
Output Resistance (Pull-up, typ.) — 0.5 ohm
Output Resistance (Pull-down, typ.) — 0.3 ohm
Propagation Delay (typ.) — 19 ns
Channel-to-Channel Delay Matching — 1.3 ns (typ.)
Rise/Fall Time — 1.7 ns / 1.5 ns (typ., 1 nF load)
Input Logic Compatibility — LV-TTL
Input Voltage Tolerance — -12 V to +22 V
Supply Voltage VDD (recommended) — 4.5 V to 20 V
Supply Voltage VDD (absolute max) — 25 V
Under-Voltage Lockout — Yes (per channel)
동작 접합 온도 — -40 C to +150 C

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