1EDN7146UXTSA1 vs 2EDN7434RXTMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 1EDN7146UXTSA1 par Infineon et 2EDN7434RXTMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 1EDN7146UXTSA1 2EDN7434RXTMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,82 $0,34
Driver Type Single-channel high-side TDI gate driver —
Maximum Blocking Voltage 200 V —
Input Configuration Truly differential (TDI) —
Output Current (Source / Sink) 1.5 A / 2.5 A —
Propagation Delay [DATA_NEEDED: typical propagation delay ns] —
Temps de montée [DATA_NEEDED: typical rise time ns] —
Temps de descente [DATA_NEEDED: typical fall time ns] —
Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range V] —
Plage de température de fonctionnement -40C to +125C [DATA_NEEDED: operating temperature]
Boîtier PG-VSON-1 (6-pin with exposed pad) PG-TSSOP-8 (3.0 x 3.0 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Target Transistor GaN SG HEMT or power MOSFET —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Statut RoHS Compliant Compliant
Topology Support Half-bridge, low-side, high-side —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — EiceDRIVER 2EDN
Driver Configuration — Dual-channel low-side
Number of Drivers — 2
Peak Output Current — 5 A (source/sink)
Rated Output Current — 4 A
Output Resistance (Low) — [DATA_NEEDED: output resistance Ron low]
Output Resistance (High) — [DATA_NEEDED: output resistance Ron high]
Propagation Delay (Typ.) — 19 ns
Input Logic Compatibility — LV-TTL, non-inverting
Absolute Max Input Voltage — -12 V to +22 V
Supply Voltage Range — [DATA_NEEDED: VDD range]
Active Output Voltage Clamping — Yes

Fiches techniques et ressources

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