1EDN7550BXTSA1 vs 1EDN7126GXTMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 1EDN7550BXTSA1 par Infineon et 1EDN7126GXTMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 1EDN7550BXTSA1 1EDN7126GXTMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,59 $0,29
Driver Configuration Single-channel, high-side / low-side —
Input Type Non-inverting, truly differential Truly Differential Input (TDI)
Peak Source Current 4 A 1.5 A
Peak Sink Current 8 A 1.5 A
Supply Voltage (VDD max) 84 V —
Minimum Input Pulse Width 29 ns —
Propagation Delay (typ.) [DATA_NEEDED: propagation delay value] —
Input Common-Mode Range Up to 150 V —
Channel-to-Channel Matching 1.0 ns typ. —
Internal Regulator 4.7 V on input side —
Logic Input Compatibility TTL / CMOS —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes —
Température de jonction en fonctionnement -40 °C to +150 °C —
Boîtier PG-SOT23-6 (SOT-23-6) PG-VSON-10-4
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Statut RoHS Compliant Compliant
Fonction — Single-channel TDI gate driver for GaN HEMT and Si MOSFET
Configuration — Non-Inverting
Channel Type — Single
Driven Supply Voltage — [DATA_NEEDED: VCC max value]
Common-Mode Voltage (CMR) — 200 V
Propagation Delay (Typ.) — [DATA_NEEDED: tpd typical value]
Rise / Fall Time (Typ.) — [DATA_NEEDED: tr / tf typical value]
Plage de température de fonctionnement — -40C to +125C
Reach — Compliant
Lead-Free — Yes
Input Logic Compatibility — 3.3 V / 5 V TTL/CMOS (TDI)

Fiches techniques et ressources

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