1EDN7550BXTSA1 vs 1EDN7126GXTMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок 1EDN7550BXTSA1 от Infineon и 1EDN7126GXTMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
1EDN7126GXTMA1 1EDN7126GXTMA1 - 1.5A 200V TDI Gate Driver for GaN | Infineon

1EDN7126GXTMA1 - 1.5A 200V TDI Gate Driver for GaN | Infineon

1EDN7126GXTMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр 1EDN7550BXTSA1 1EDN7126GXTMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,59 $0,29
Driver Configuration Single-channel, high-side / low-side —
Input Type Non-inverting, truly differential Truly Differential Input (TDI)
Peak Source Current 4 A 1.5 A
Peak Sink Current 8 A 1.5 A
Supply Voltage (VDD max) 84 V —
Minimum Input Pulse Width 29 ns —
Propagation Delay (typ.) [DATA_NEEDED: propagation delay value] —
Input Common-Mode Range Up to 150 V —
Channel-to-Channel Matching 1.0 ns typ. —
Internal Regulator 4.7 V on input side —
Logic Input Compatibility TTL / CMOS —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes —
Рабочая температура перехода -40 °C to +150 °C —
Корпус PG-SOT23-6 (SOT-23-6) PG-VSON-10-4
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Уровень MSL [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Статус RoHS Compliant Compliant
Функция — Single-channel TDI gate driver for GaN HEMT and Si MOSFET
Configuration — Non-Inverting
Channel Type — Single
Driven Supply Voltage — [DATA_NEEDED: VCC max value]
Common-Mode Voltage (CMR) — 200 V
Propagation Delay (Typ.) — [DATA_NEEDED: tpd typical value]
Rise / Fall Time (Typ.) — [DATA_NEEDED: tr / tf typical value]
Диапазон рабочих температур — -40C to +125C
Reach — Compliant
Lead-Free — Yes
Input Logic Compatibility — 3.3 V / 5 V TTL/CMOS (TDI)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену